Производится по планарной технологии с точным фотолитографическим формированием геометрии. Предназначен для детектирования заряженных частиц (α, β, протоны) в ядерной физике, радиационном контроле и экологическом мониторинге.
Преимущества перед SSB-детекторами:
Заглубленные края структуры (вместо эпоксидного уплотнения) — снижение тока утечки.
Тонкий мертвый слой (благодаря ионной имплантации) — повышение разрешения при сохранении надежности контактов.
Ключевые характеристики: ◆ Макс. напряжение смещения: 150 В ◆ Термостойкость: до 120°C ◆ Низкий ток утечки, минимальная толщина мертвого слоя ◆ Прочное, легко очищаемое окно детектора ◆ Пассивация поверхности — надежные контакты ◆ Ионная имплантация — низкий шум, высокое энергетическое разрешение ◆ Позолоченный корпус — защита от помех ◆ Совместимость с SMA/Microdot