Область применения ◆ Обнаружение радона в окружающей среде ◆ Обнаружение заряженных частиц ◆ Ядерная наука и технологии ◆ Радиационная защита и мониторинг
Планарный кремниевый детектор Производится с использованием планарного процесса и точной фотолитографии для формирования геометрии. Ионная имплантация создает контакт, обеспечивая низкий ток утечки и тонкий мертвый слой входного окна. Применяется для измерения α-частиц и β-излучения в ядерной технике, радиационном контроле и экологическом мониторинге.
Ключевые характеристики: ◆ Макс. напряжение смещения: 150 В ◆ Прочное, легко очищаемое окно детектора ◆ Пассивация поверхности — низкий ток утечки, высокая стабильность ◆ Ионная имплантация — низкий шум, высокое энергетическое разрешение ◆ Варианты монтажа: вставной, поверхностный, свинцовый