Заглубленные структурные края (вместо эпоксидного уплотнения) → Снижение тока утечки.
Ионная имплантация → Более тонкий мертвый слой → Повышенное разрешение детектирования.
Характеристики: ◆ Макс. смещение: 150 В ◆ Термостойкость: до 120 °C ◆ Низкий обратный ток утечки, минимальная толщина мертвого слоя ◆ Пассивация поверхности → Низкий ток утечки, высокая стабильность ◆ Ионная имплантация → Низкий шум, высокое энергетическое разрешение ◆ Позолоченный корпус → Помехоустойчивость ◆ Интерфейс: SMA / Microdot